绝缘体上硅技术相关论文
为了获得可靠的、高性能的器件,传统晶体管的特征尺寸在不断缩小.然而在器件小型化进程中受到物理学、热电学等理论的挑战,已趋于......
绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)技术实现器件全介质隔离，彻底消除体硅CMOS寄生闩锁效应，具有功耗低、速度快、集成度高等显著......
绝缘体上硅(SOI，silicon on insulator)技术在高速低功耗、抗辐射耐高温电路、以及微机械传感器、光电器件等方面具有重要应用，是微......
<正> 美国IBM公司近日宣布,他们首次成功利用“绝缘体上硅”技术设计出硅锗双极晶体管,其速度达到现有硅锗双极晶体管的4倍,能耗比......
研制出一种高抗辐射的SOI CMOS电脉冲时间间隔测定器集成电路.在阐述其工作原理的基础上,进行了抗辐射设计与版图设计.通过实验分......
总结了最新发展起来的两种绝缘体上硅晶片制造技术,给出了绝缘体上硅新器件、新结构和新工艺研究进展,提出绝缘体上硅技术所面临的......
