绝缘层上应变硅相关硕士博士期刊学术论文

采用二维数值模拟的方法，研究了纳米尺度栅长的绝缘层上应变硅（SSOI）动态阈值（DT）MOSFET的特性，全面分析了台阶型沟道掺杂分布和沟道长度......