绝缘层上锗硅相关论文
在新材料SiGe-OI(绝缘层上锗硅)单模光波导的基础上,建立了符合单模光波导条件的SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器结构,分析了对称型Y......
基于SiGe—OI新型半导体材料,分析了SiGe-OI对称脊形定向耦合器的横向和纵向耦合理论,在BPM模拟软件平台上,建立了SiGe—OI对称脊形定......
SiGe-OI微环谐振器是一种新型半导体材料的谐振器。本文根据传输矩阵法得到微环谐振器的传递函数,研究了上下载滤波器和上、下载端......
SiGe-On-Insulator(SGOI)新材料是微电子技术领域的前沿技术,它结合SiGe和SOI两种先进技术的优势,在将来高速、低耗、高密集成电路以......
SiGe-On-Insulator (SiGe-OI)是微电子技术领域的前沿技术,它结合SiGe和SOI两种技术的优势,在将来高速、低耗、高密集成电路以及光电集......