绝缘栅型场效应管相关论文
该文提出了一种神经细胞被粘贴到P沟道绝缘栅型场效应管连接方法的仿真模型,这种方法对研究神经细胞与单晶硅缝隙连接信息传导有一意......
随着MOS器件的特征尺寸缩减到14纳米以下,基于SOI(Silicon on Insulator)工艺的器件以其抗辐射性和低功耗等优点越来越受到国内外的......
随着电力电子设备的大量使用,谐波和无功损耗对于电网的影响也越来越严重,PWM整流器作为功率因数校正方法,具有功率因数可控,谐波......
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,由于其高电压,热导率高,电子饱和速率大,临界电场高等特点,是目前大功率应用场合下的理想半......
以绝缘栅型场效应管(MOSFET)作为开关元件的独立式单路控制微能脉冲电源设计存在着缺陷,不利于稳定加工.通过对实验中采集到的波形......
设计基于绝缘栅型场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET)的快门脉冲发生器,将MOSFET串联作为开关组,......