缓冲层陷阱相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

缓冲层陷阱相关论文

基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应

基于双脉冲技术,研究了GaN缓冲层陷阱对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应的影响.结果表明,栅边缘漏侧的电场峰值使得沟道......

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ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管电流崩塌效应缓冲层陷阱 AlGaN/GaN high electron mobility transistor cur

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