耦合量子阱相关论文
玻色－爱因斯坦凝聚成为探索量子世界的一种新方法，而且在半导体纳米结构中激子的凝聚研究取得了很大进展。实验上利用耦合量子阱间接......
本文通过考虑Rashba自旋轨道耦合，研究了InAs/InAlAs耦合量子阱系统中，局域自旋极化密度随时间演化的问题.同时还研究了量子阱结构尺......
在有效质量近似下，详细研究了直接带隙Ge／GeSi耦合双量子阱中带间光跃迁吸收系数和阈值能量随量子阱结构参数的变化情况。结果表明：随......
提出了一种基于在GaAs-AlGaAs非对称耦合量子阱材料子带跃迁的量子干涉的半导体弱光开关.分析了弛豫速率γ21对光开关的影响.这种......
提供一种新的解法,经过求解微分方程很简单地得到了与殷雯(物理学报52 1862)同样的结果.殷文通过精确求解含时量子体系,研究了在周......
在介电连续近似下,推导和讨论了任意层的耦合量子阱系统中的受限纵光学(LO)声子模与界面光学(IO)声子模.为了描述受限纵光学声子的......
玻色-爱因斯坦凝聚成为探索量子世界的一种新方法，而且在半导体纳米结构中激子的凝聚研究取得了很大进展。实验上利用耦合量子阱间......
定量分析了电子在周期驱动耦合量子阱中的运动情况，导出了绝热近似条件下时间演化算符的表示，计算了不同初始条件下阱中电子数分布随......
考虑了由于压电与自发极化引起的强内电场效应，基于密度矩阵与久期处理方法，理论考察了纤锌矿氮化物半导体耦合量子阱体系的非线性光......
回顾了近年来耦合量子阱中激子玻色-爱因斯坦凝聚的研究进展和主要实验成果,提供了耦合量子阱中间接激子凝聚的实验证据和高度简并......
采用无限深势阱模型分析对称耦合量子阱中最低子能级的形成,并利用二能级体系理论给出对称耦合量子阱中各子能级随外电场的变化规......
与Ga N基正装结构发光二极管(Light Emitting Diode,LEDs)芯片相比,Ga N基垂直结构LED芯片解决了电流密度过大及导致散热不佳等问......
氮化物半导体，具有宽禁带和强束缚能等特点，在量子器件设计中，比GaAs基半导体具有更广阔的应用前景。氮化物半导体的晶体结构有两类：六......
