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肖特基势垒不均匀相关论文
具有均匀肖特基势垒的Ni基4H-SiC接触的制备
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料因其耐高温、耐高压等优异的性能被视为未来发展适用于极端环境的器件中不可或缺的材料之一。金......
学位
碳化硅
界面反应
肖特基势垒不均匀
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