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稀铋化合物半导体材料发光增强机理研究
新型稀铋材料是Ⅲ-Ⅴ化合物材料中研究最少的材料,但是稀铋材料具有很多优良的物理性能。研究发现,在化合物半导体中掺入铋元素之后,......
学位
半导体材料
稀铋化合物
分子束外延
背景杂质
铋浓度
发光增强
MBE生长GaAsBi过程中Bi组分对背景杂质含量的影响
用分子束外延(MBE)技术外延生长了GaAs 1-x Bi x(0<x<0.05)合金样品,并通过二次离子质谱(SIMS)研究了样品中从MBE腔体背景引入的诸......
期刊
GaAsBi
背景杂质
Bi
分子束外延
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