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背面吸杂相关论文
氮化N沟MOS场效应管的界面陷阱特性
一种经过氮化处理背面吸杂的N沟MOS场效应管,在较宽的温度和偏置范围下对其内烁噪声进行测量,将经过不等时间吸杂处理后的器件的噪声能谱......
期刊
低频噪声
截面陷阱
背面吸杂
MOS场效应管
Lowfrequency noise SiSiO2 interface trap backsurface gett
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