本文介绍了厚度为300μm-800μm,有效面积为30-113 mm2的高阻GaAs单晶材料制各的核辐射GaAs探测器的研制工艺,测试结果.......

介绍了厚度为300-800μm,有效面积为50-113mm2的高阻GaAs单晶材料制备的核辐射GaAs探测器的研制工艺,测试结果。 The development......

介绍了厚度为300～800μm，有效面积为50-113mm^2的高阻GaAs单晶材料制备的核辐射GaAs探测器的研制工艺，测试结果。......