脉冲金属有机化学气相淀积相关硕士博士期刊学术论文

由于InAlN材料在In含量为17.6%时,可以与GaN晶格实现的无应力状态的晶格匹配,因而受到了广泛的关注和研究。但是由于受到了In N和A......