腔室压强相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

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等离子硅刻蚀及其工艺参数的多尺度优化

用CFD-ACE＋和CFD-TOPO分别对容性耦合等离子体反应腔室放电和等离子硅刻蚀过程进行仿真,讨论不同射频电压和腔室条件对等离子体特性......

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硅刻蚀容性耦合等离子体射频电压腔室压强 KRIGING模型优化 silicon etch capacitively coupled plasma rad

4H-SiC ICP深刻蚀工艺研究

SiC是一种新型的半导体材料,由于化学性质十分稳定,目前还未发现有哪种酸或碱能在室温下对其起腐蚀作用,因此,在SiC的加工工艺中常......

期刊

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