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自图形化技术子能带跃迁相关论文
基于子能带间跃迁的AlGaN/GaN基多量子阱ISBT红外探测研究
AlGaN/GaN多量子阱具有大的导带带阶,高的电子与LO声子相互作用能(~90meV)以及超快的电子驰豫速度等优点,使得基于AlGaN/GaN多量子......
学位
AlGaN/GaN多量子阱
红外探测
极化
自图形化技术子能带跃迁
暗电流
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