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薄势垒F注入相关论文
薄势垒F注入增强型AlGaN/GaN HEMTs的电应力可靠性研究
由于具有高饱和电流、高截止频率以及大功率容量等优越的性能,AlGaN/GaN高电子迁移率场效晶体管(HEMT)在微波功率放大器和高压开关电......
学位
AlGaN/GaN肖特基二极管
薄势垒F注入
C-V电导法
逆压电效应
应力可靠性
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