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薄漂移区相关论文
阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压模型
提出硅基阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压解析模型.通过分区求解二维Poisson方程,获得阶梯掺杂薄漂移区的二维表面电场和击穿电压......
期刊
薄漂移区
阶梯掺杂
击穿电压
模型
thin drift region step doping profile breakdown voltage model
薄漂移区横向高压器件耐压模型及新结构
横向高压器件是高压集成电路的关键器件,受到了众多学者深入的研究。随着半导体技术的快速发展,功率器件和常规低压器件等比例减小......
学位
RESURF
薄漂移区
解析模型
电场调制
电荷共享
表面电场
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