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表面态和表面共振态相关论文
紧束缚方法计算Ⅲ-Ⅴ族半导体(311)B表面电子结构
本文用紧束缚方法计算了Ⅲ-Ⅴ半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B表面的表面电子结构.半导体材料的体电子结构采用考虑次近......
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紧束缚计算
高弥勒指数表面
表面态和表面共振态
Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物
Calculation of TightbindingHigh Millerindex S
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