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编程成功率是阻变存储阵列可靠性的重要方面.本文采用1KblT1R阵列系统研究了晶体管的衬偏效应对Cu/HfO2/Pt阻变存储器编程成功率的......
随着片上系统(SoC)电源电压的降低,嵌入式快闪存储器内部电荷泵电路的电压增益不断下降。为提高低电源电压下电荷泵电路的效率,提......
通过求解沟道与埋氧层的二维泊松方程,同时考虑垂直沟道与埋氧层方向的二阶效应,建立了高κ栅介质GeOI金属氧化物半导体场效应管(M......
随着我国市场经济的发展，IC卡得到越来越广泛的运用。卡中EEPROM存储器的优劣深刻影响IC卡的性能。隧道氧化层的退化是引起EEPROM可......
根据埋沟MOSFET导电机理和开启特性,利用准二维分析,导出了一个适用于深亚微米埋沟器件的开启电压模型.它综合考虑了衬偏效应、短......
分析了二极管和COMS电压整流器的结构特点及性能.提出一种适用于射频电子标签的高效率改进型PMOS电压整流器,采用0.13μm CMOS工艺......
本文根据ＭＯＳ器件沟道区离子注入引起的衬底杂质非均匀分情况，提出了一个简单的衬底杂质分布的近似。......
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通过结合BSIMCMG模型与负电容（negative capacitance（NC））模型，构建了NC-FinFET模型。基于所建立的NC-FinFET模型，推导分析了其等效电容......
