衬底电压相关论文
本文利用NMOS管与PMOS管栅源电压的温度特性及衬底偏置效应,设计了一种带曲率补偿输出电压约为233mV的电压基准源。该电路结构简单......
在多功能高密度集成电路中,芯片巨大的面积和高速的时钟信号使得许多原来在长沟道芯片中可以被忽略的寄生效应变得必须被重视。在......
