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赝配高电迁移率晶体管相关论文
PHEMT材料MBE生长及其应用
我们对PHEMT材料中应变沟道InGaAs层生长条件进行了优化,并采用了LT-GaAs中缺陷扩散的阻挡层.功率PHEMT器件结果为在栅长Lg=1.0μ......
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