超薄栅氧化物相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

超薄栅氧化物相关论文

一种精确求解超薄栅NMOS器件隧穿电流的模型

提出了一种精确求解隧穿电流的模型。通过自洽求解一维薛定谔方程和泊松方程，得到NMOS器件的半导体表面电势分布、反型层二维电子气......

期刊

N沟金属-氧化物-半导体器件量子隧穿反型层超薄栅氧化物 NMOS devices quantum tunneling inversion layer

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