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考虑速度过冲效应的亚1/4微米MOSFET器件解析模型
提出了一个考虑速度过冲效应的亚1/4微米MOSFET器件解析模型。亚1/4微米MOSFET靠近源端沟道内电子速度过冲归因于该区域内的强电场。采用源附近电场的......
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载流子温度
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