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具有单一吸收边的混相ZnMgO薄膜及其紫外探测器件的制备和特性研究
Zn Mg O基材料具有宽的带隙调节范围(从3.37 e V到7.8 e V)、高的电子饱和漂移速度、强的抗辐射能力、匹配的单晶衬底(Zn O和Mg O)......
学位
混相ZnMgO
MBE
a-Al2O3
单一吸收边
紫外探测器
单一探测带
较低暗电流
较高响应度
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