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辐射损伤分布相关论文

高能铒离子注入硅单晶的辐射损伤及其退火行为

利用卢瑟福背散射及沟道技术研究了2MeVEr^+以不同剂量注入硅（100）所引起的辐射损伤及其退火行为。采用多重散射模型计算了2MeV1&#21......

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高能离子注入辐射损伤分布退火铒硅单晶 high energy ion implantation damage profile annealing

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