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辐射诱导泄漏电流相关论文

质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响

利用10MeV 质子对130nm 部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等......

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辐射诱导泄漏电流栅氧经时击穿可靠性质子辐照部分耗尽SOI

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