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边界陷阱电荷相关论文
表面处理对HfO2栅介质MOS电容界面特性的影响
在溅射淀积HfO2栅介质之前,采用NO、N2O、O2+CHCCI3(TCE)进行表面预处理。结果表明,预处理能改善界面和近界面特性,减小界面层厚度,尤其是......
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