迁移率边相关论文
首先研究了分形结构上无序势函数下的格林函数的性质。该分形结构上的格林函数与态密度的联系中充分体现了系统的分形特征。在非晶......
采用反应蒸发的方法,在玻璃、Corning7059玻璃及石英玻璃衬底上制备了SnO2:(Cu,In)透明导电薄膜,对薄膜的各种元素的含量做了分析,......
在研究一维准晶的电子性质时，发现了一种特殊的局域性。该模型是生长规则为Ａ→ＡＢＢ，Ｂ→Ａ的广义Ｆｉｂｏｎａｃｃｉ链，其能谱具有三分支的自相似结构，且在任一层的......
在4.2—20K温度范围内,利用MOS器件的沟道电导率随栅压的变化,研究了Si-SiO_2界面反型层中的Anderson转变.发现实验Inσ～1/T曲线外......
本文提出在MOSFET构成的2DEG带尾区域,复值电容可用三个模型予以描述.一维扩散模型(IDD),迁移率边模型(ME)和复数电导率模型(σ(ω......
两类a-Si:H膜的测量表明:高温样品的光电导较大;低温样品的光暗比较大,г值接近1,瞬态响应速度较快。光电导性的差异决定了它们的......
本文报导了用PECTD法制备的a-GaAs样品的基本电学和光学性质,未掺杂的a-GaAs薄膜在室温下呈N型,相应的电子漂移迁移率为10~(-2)～10~......
第十届非晶态与液态半导体国际会议于1983年8月22日至26日在东京召开.会议由IUPAP和日本物理学会提供经费,并受到日本应用物理学会......
本文研究了具有p波超流的一维非公度晶格中迁移率边的性质。发现适当的p波超流可以增加体系中的迁移率边的数目，并且通过多分形分析......
首先研究了分形结构上无序势函数下的格林函数的性质。该分形结构上的格林函数与态密度的联系中充分体现了系统的分形特征。在非晶......
本文讨论非晶材料中局域声子存在条件及其态密度估计。...
应用增长因子判据,研究了一维无公度系统Soukoulis-Economou模型电子态的局域性质,得到了该模型的局部迁移率边,进一步证实了应用L......
研究了具有p波超流的一维非公度晶格中迁移率边的性质.发现适当的p波超流可以增加体系中的迁移率边的数目,并且通过多分形分析确定......
在研究一维准晶的电子性质时，发现了一种特殊的局域性，该模型是生长规则为A→ABB，B→A的广义Fibonacci链，其能谱具有三分支的自相似结......
超冷原子的实现以及激光冷却原子技术开辟了冷原子物理这一新的研究领域,为在实验上实现玻色—爱因斯坦凝聚提供了充分的技术准备......
研究了一维非公度的准周期晶格中的玻色子对的迁移率边.通过微扰方法,解析推导出强相互作用极限下准周期晶格中玻色子对迁移率边的......
Fidelity理论是统计物理、量子信息科学和量子混沌中一个重要的概念，它是表示受干扰情况下一个态在演化过程中能够保持原来状态的程......
