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过渡区硅材料相关论文
微晶硅薄膜晶体管稳定性研究
对有源区处于结构过渡区的微晶硅底栅薄膜晶体管,测试其偏压衰退特性时,观察到一种"自恢复"的衰退现象.当栅和源漏同时施加10 V的......
期刊
过渡区硅材料
微晶硅薄膜晶体管
稳定性
自恢复衰退
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