近带边发射相关论文
报道了利用低压金属有机汽相外延(LP-MOCVD)工艺首先在硅(n-Si衬底上生长硫化锌(ZnS)薄膜,然后将 硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下......
用电化学沉积方法制备了ZnO纳米柱阵列.在Zn(NO3)2基础电解液中加入新电解质并引入NH4NO3和Ga(NO3)3,实现了对ZnO纳米柱阵列的带隙......
MgZnO合金具有重要的应用前景：是构造异质结或超晶格的物质，从而获得高性能的激光二极管和光发射二极管装置；同时MgZnO合金可以和ZnO......
在２Ｋ下，对常压ＭＯＣＶＤ方法生长的ＺｎＳｅ单晶薄膜进行了光致荧光近带边发射谱的测量和辨认，并采用激光超短脉冲技术和时间相关单光子计数技术相结合的......
