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近常压等离子体相关论文
等离子体沉积Si/SiO_x纳米颗粒薄膜及发光特性的研究
硅是世界上矿藏最丰富,微电子工艺最成熟,光电集成最理想的半导体材料。但是由于硅是间接带隙光电材料,跃迁几率很低,引起硅的发光......
学位
近常压等离子体
纳米
偏压
占空比
荧光
阴极射线谱
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