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选择性轨道加场相关论文
汞硫族化合物的能带结构及表面态性质的理论计算:选择性轨道外加场法
自从量子自旋霍尔效应首次在(Hg,Cd)Te 量子阱中被发现以来,人们认为类似于HgTe这种具有“反带”结构的性质,是拓扑绝缘体形成的前......
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拓扑绝缘体
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