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部分耗尽绝缘体上硅(PD-SOI)相关论文
0.13μm部分耗尽SOI工艺反相器链SET脉宽传播
基于0. 13μm部分耗尽绝缘体上硅(PD-SOI)工艺,设计了一款片上反相器链(DFF)单粒子瞬态(SET)脉宽测试电路并流片实现,SET脉宽测试......
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