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AlIn(Ga)N/GaN HEMT器件性能及pH传感器的研究
GaN基HEMT器件是基于Ⅲ族氮化物半导体材料异质结构发展起来的第三代半导体器件。得益于Ⅲ族氮化物的禁带宽度大,电子饱和速率高,......
学位
AlGaN/GaN
AlInN/GaN
HEMT
热稳定性
酸碱性检测
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