重掺砷相关论文
通过拉晶热场系统、单晶炉真空系统及计算机自控参数，掺杂机构、拉晶工艺等一系列改进，在国产ＴＤＲ－６２Ｂ单晶炉上采用１２″热场成功地实现了大投料......
As重掺杂Si片的电阻率可低到10^-3Ω.cm,可用作外延片的衬底材料,对于正向压降低的半导体器件来说,用这类外延片制作器件是最恰当......
硅单晶的机械性能是包括集成电路在内的器件的制造和封装的限制因素。同时,硅单晶的机械性能还在无位错单晶生长、外延沉积以及硅......
氧是直拉硅单晶中最重要的非故意掺入的杂质,与此相关的氧沉淀一直是硅材料的重要研究课题。在某一温度下,氧沉淀在达到平衡状态后......
