量子阱垒高相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

量子阱垒高相关论文

单量子阱InGaN／GaN势垒高度与LED光电性能关系研究

通过对InxGal～xN掺杂不同组份的In来改变InxGa1一xN的禁带宽度，从而改变量子阱势垒高度，并研究其与发光二极管光电性能、效率下降之间......

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光电子学量子阱垒高 In含量数值模拟 INGAN GAN发光二极管 power of the light emitting The blue-shift a

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