量子阱材料相关论文
高质量、高In组分InGaN/GaN量子阱生长是实现长波长发光器件的关键问题.由于InGaN与GaN材料的最佳生长温度不同,如果GaN垒层采用较......
阐述了半导体激光器有源层纳米尺度引起的量子效应,比较了体材料激光器与量子阱材料激光器的性能差异,说明了材料尺度缩小到一定的......
报道了一种两段式1.08um InGaAs量子阱锁摸激光器.量子阱材料由MBE生长，可饱和吸收区和增益区经过重新设计.可饱和吸收区作为被......
本文介绍了纳米半导体光电子量子点、量子线和量子阱材料的发展动态和应用。最后，展望了这些材料的发展前景。......
本文概述了量子阱电吸收光调制器设计的整个过程，从量子阱材料设计，到器件的光波导设计和微波特性设计，并给出了使用剥离法、湿法刻蚀......
本文讨论了量子阱构成的二维光子晶体激光器中的激光行为，采用辅助微分方程法分析了量子阱与激光的相互作用，给出二能级量子阱材料宏......
本文提出基于GaN量子阱材料的中远红外量子级联激光器,与现有的基于GaAs材料的远红外量子级联激光器相比,它能显示出明显的优越性.......
该文报告了几种典型的具有不同结构和厚度的小应变异质材料和量子阱材料的计算机模拟摇摆曲线，指出了摇摆曲线模拟分析的方法和步骤......
该文综述了量子阱材料由晶格匹配量子阱到应变量子阱最后到目前的应变补偿量子阱的发展过程。同时报导了他们开发的１．３μｍ和１．５５μｍ高可靠的......
该文分析了基于lnGaAsP/InP量子阱材料的Mach-Zehnder(M-Z）型光调制器的若干基本问题，对其中弯曲波导的有关结构参数进行了优化计算......
以砷化镓为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体是半导体材料非常重要的组成部分.同共它半导体材料(主要是Si、Ge)相比,这类半导体具有禁带......
学位
量子阱红外探测器（QWIP，Quantum Well Infrared Photo-detector）在响应速度、均匀性、抗辐照、多色集成和加工成本等方面的明显优势，成......
该论文的主要工作设计并研制了高功率、宽光谱1.55μm量子阱InGaAsP/InP集成超辐射光源.为了克服传统超辐射发光器件输出功率低的......
氮化镓基材料(GaN)尤其是InGaN/GaN量子阱材料是目前研究最为广泛的宽禁带半导体,是近年来蓝紫光半导体激光器研究中最重要的材料......
本语文要运用半经典理论研究了半导体量子阱材料中的光学双稳态行为和四波混频光场的产生。首先简要介绍了半导体量子阱的生成机制......
“信息功能材料是信息技术发展的基础和先导;没有硅材料和硅集成芯片的问世,就不会有今天微电子技术;没有光学纤维材料的发明,砷化......
作者对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ结构调制掺杂材料及多量子阱材料，分别使用电子束或质子束辐照，电子束辐照能量为０．４～１．８ＭｅＶ，辐照注量为１×１０＾１３～１×１０＾１６ｃｍ＾－２，质子束辐照能量为２０～１３０ｋｅＶ，辐照......
采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料，采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓部层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光......
随着半导体量子阱材料的发展，量子阱器件广泛应用于各种领域。本文主要介绍量子阱的基本原理，重点从量子阱材料．量子阱激光器、量子阱......
综述了半导体量子阱材料的最新发展动态及其制备技术....
从ＭＯＣＶＤ和卤化物ＶＰＥ的生长装置出发，分析了量子阱激光材料和微波电子材料中引入杂质的纵向分布和谐过程。采用了掺入杂质分子经载体气体漂移......
采用进口分子束外延设备生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料。在理论分析和实验总结的基础上，对材料结构进行了优化，增加了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层来......
给出了具有二三个量是的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了荧光峰为量子阱中导带子带和阶带子带间本征复合......
介绍了应变量阱材料单结点失配位错能量平衡模型，计算了一些典型量子阱 阱层临界应变和应变体材料的最大允许应变。报告了Ｎｏ．５５８压应变量......
日前，“十一五”863计划新材料技术领域“全固态激光器及其应用技术”重点项目进行了中期检查，该项目以全固态激光器技术的重大需求......
初步分析了基于GaAs/AlGaAs量子阱材料的光致折射率变化规律,利用自洽方法计算了光生载流子浓度对传输光的折射率改变量.当805nm的......
用固定能量为２０ｋｅＶ，剂量为１０＾１１￣１０＾１３／ｃｍ＾２的质子和固定剂量为１０＾１１／ｃｍ＾２，能量为３０￣１００ｋｅＶ的质子，对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱材料进行辐照，得到了材料的光致发光特性随质子能量和剂量的变化关系......
本文采用调制光谱方法测量了ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘ－Ａｓ双单量子阱材料的光调制反射光谱（ＰＲ），同时观察到了二个单量子阱中的带间激子跃迁，采用电场调制线形可以拟合......
研制了１．５５μｍ波段低偏振灵敏度的半导体光放大器（ＳＯＡ），其有源区材料采用张应变和压变交替排列的混合应变量子阱结构，由ＭＯＣＶＤ生长，张应变量子阱加强了......
对GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱材料进行的光致发光(PL),横断面透射电子显微镜(XTEM)和反射电子显微镜(REM)的研究结果表明量子阱材......
本文报道用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOVPE) 的方法生长了晶格匹配的Ga_(1-x)In_4As/InP 量子阱结构材料.X光双晶衍射和透射......
期刊
极化子研究是凝聚态物理学领域的一个重要课题.论述了极化子的概念及种类,详细介绍了半导体体材料和量子阱材料中极化子理论的研究......
本文利用透射电子显微镜、光致发光谱、X 射线双晶衍射和电子全息等多种实验手段和方法,深入地研究了二维InGaN/GaN 多量子阱结构......
Al1 xGaxAs/GaAs量子阱材料在高速和高频电子器件有着广泛的应用 ,研究其辐照效应及其辐照引入的深能级缺陷直接关系着高速高频器......
随着当今信息传输量急剧增长,全光通信网已经成为未来通信网络的发展方向。在全光网络系统中,光交叉连接设备(OXC)与光分叉复用设......
当前对自由电子激光和量子阱材料的研究同处于高科技的前沿，但自由电子激光对量子阱材料的辐照效应研究却进行得很少，因而这是一个相......
自由电子激光和量子阱材料都是当前科研的热门领域，而自由电子激光对量子阱材料的辐照研究却进行的很少，因而这是一个新颖的课题。本......
