对ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ多量子阱材料，根据温度场方程计算了两种激光作用下多量子阱混迭技术（ＰＡＩＤ及ＰＬＤ）的横向空间选择性，得到ＰＡＩＤ在一般情况下的横向空间选择性为１００μｍ量......