金属—绝缘层—半导体相关硕士博士期刊学术论文

近年来,Ⅱ-Ⅵ族半导体ZnO由于具有3.37eV的宽直接带隙、60meV的高激子束缚能、抗辐射能力强、湿化学腐蚀容易和制备工艺相对简单等......