研究了金属有机化合物气相外延（ＭＯＶＰＥ）方法在（０００１）氧化铝基底上生长的ＧａＮ 薄膜的微结构，目的在于解释ＧａＮ缓冲层在二步法生长过程中的作用及其对外延层......