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金属栅功函数相关论文
适于16纳米及以下的器件和电路的集成工艺基础研究
该研究2013年度主要围绕研究高迁移率半导体表面态及钝化机理,探索热力学稳定的高k栅介质材料方面,主要开展解决等效氧化层厚度表......
期刊
高迁移率沟道
高K栅介质
半导体表面态
等效氧化层厚度
金属栅功函数
High mobility channel High-K gate oxide Semic
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