为了解决硅衬底与GaN之间的晶格失配和热失配问题,实验尝试采用常压化学气相沉积法(APCVD),分别以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为镓源和......

本文以金属Ga和NH3为原料，Al、Ni和Fe为金属缓冲层，采用化学气相沉积法（CVD）在Si（100）衬底上合成了GaN微米薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、场......

采用射频磁控溅射技术,通过改变溅射功率、N2气流量百分比、衬底偏压及溅射压强等沉积参数,分别在Si (100)、ITO玻璃衬底及Cr、Ti......