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金属-半导体高电子迁移率晶体管相关论文
栅介质的介电特性对AlGaN/GaN MISHEMTs性能影响研究
由于自发极化和压电极化作用,AlGaN/GaN异质结界面具有很高浓度的二维电子气(2DEG),基于AlGaN/GaN异质结的场效应晶体管(heterostructur......
学位
AlGaN/GaN
氧化铝
钠-β-氧化铝
铪钛氧
金属-半导体高电子迁移率晶体管
金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管
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