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金属-氧化物-氮化物-氧化物硅存储器相关论文
GdO存储层中氧含量及掺氮对MONOS存储器特性的影响
采用反应溅射法制备以GdO。或Gd0N为存储层的MONOS(Metal—Oxide—Nitride—Oxide—Si)电容存储器,研究了GdO。中氧含量以及掺氮对MON......
期刊
金属-氧化物-氮化物-氧化物硅存储器
存储特性
氧化钆
氮氧化钆
MONOS memory
memory characteristics
GdO
Gd
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