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铁电电荷存储栅介质相关论文
基于β-Ga2O3大功率金属氧化物半导体场效应晶体管的研究
相比于传统的第一代、第二代和第三代半导体,β-Ga2O3作为一种新型的半导体材料,具有4.8-4.9 e V的超宽禁带宽度和8 MV/cm的超高临......
学位
氧化镓
功率MOSFET
界面态
耗尽型
增强型
铁电电荷存储栅介质
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