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铟团簇相关论文

p-GaN退火对InGaN量子阱光学性能的影响

近年来,N2退火和O2退火均被用于激活p-GaN中的Mg受主以提高p-GaN中的空穴浓度。基于两种退火技术,系统地研究了N2退火和O2退火对LE......

期刊

量子阱结构 InGaN p-GaN 光学性能光致发光热退火位错密度铟团簇空穴浓度高温退火

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