锗化硅相关论文
Thin relaxed SiGe layer grown on Ar^＋ ion implanted Si substrate by ultra-high vacuum chemical vapor
Thin strain-relaxed Si0.81Ge0.19 films (95 nm) on the Ar+ ion implanted Si substrates with different energies (30 keV, 4......
ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ的基区杂质在工艺过程中外扩到发射区和收集区，使得低温增益下降，提出采用适当厚度的隔离层的方法，使ＨＢＴ电流增益在低温下增长。......
...
为了获得电学性能良好的SiGe PMOS SiO2栅介质薄膜,采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)工艺,对低温300℃下薄膜制备技术进行了研......
Si0.8Ge0.2strained epilayer were grown on Si substrates by rapid thermal process/very low pressure-chemical vapor deposi......
研究了ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层中补偿浅能级杂质（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ）的低温陷阱效应。研究发现，１）三种补偿浅能杂质Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ相比较，Ｓｂ的陷阱效应最小，Ａｓ的最大；２）Ｇｅ组份ｘ越大，低温陷阱......
由于发射结（ＥＢ结）价带存在着能量差ΔＥｖ，电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定，给ＨＢＴ设计带来了更大的自由度。为减小基区电阻和......
本文研究了不同温度下Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ双异质结晶体管异质结势垒效应，研究发现，集电结处价带能量差△Ｅｖ越大，ＨＢＥ越明显，在给定的△Ｅｖ下，随着温度的降低，ＨＢＥ越显著。......
To handle the thermal budget in SiGe BiCMOS process, a non-selective graphic epitaxial tech- nology using molecular beam......
我们对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个高速Si/SiGe/Si HBT结构和一个低......
ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ作为单片微波集成电路中的有源元件，在截止频率，增益，噪声等方面相对于ＧａＡｓ器件有很大的优势。本文结合本单位在ＳｉＧｅ材料和器件、电路等方面......
通过ｘ射线双晶衍射图形了ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的电学特性与晶格结构的关系。...
介绍了SiGe材料的发展历史、特性、制备方法及其在半导体器件中的应用。...
通过优化设计SiGe/SiHBT的纵向参数，找到一种低温工艺方法，研制出了在液氮温度下电流增益达到26000的高增益异质结晶体管。......
阐述了SiGe技术迅速发展的原因.重点介绍了在蓝牙系统中采用SiGe技术,可以得到非常优异的特性.......
综述了近年来ＳｉＧｅ体单晶在材料特性，生长方法及应用的研究进展，并展望了该材料的发展前景。......
阐述了ＳｉＧｅ器件的主要研究方向以及国内外对ＳｉＧｅ材料和器件的研究情况，并对ＳｉＧｅ器件与Ｓｉ器件和ＧａＡｓ器件的发展前景进行了比较。......
对可达到2.5～40Gb/s数据速率的SiGe与GaAs和InP材料进行比较，还对各种材料和工艺的典型特征进行了分析。......
基于IBM 0.36μm SiGe BiCMOS工艺设计应用于802.11ac的全集低噪声放大器,工作频段为5~6 GHz,且带有旁路功能。低噪声放大器的主体......
为提高外延ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ材料中Ｓｉ发射极的生长速率，研究了Ｓｉ２Ｈ６预热温度对Ｓｉ生长速率的影响，结果表明在一很窄的温区内，Ｓｉ的生长速率提高了一倍，进一步升温Ｓｉ的......
用气态源分子束外延法制备了Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ ｎｐｎ异质结双极晶体管。晶体管基区Ｇｅ组分为０．１２，Ｂ掺杂浓度为１．５×１０＾１９ｃｍ＾－３，ＳｉＧｅ合金厚度约４５ｎｍ。直流特性测试表明，共发射极直流放......
本文报道一种新开发的Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结极晶体管（ＨＢＴ），ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为５０，ＢＣＢＯ为２８Ｖ，ＢＶＥＢＯ为......
本文对ＧＳ－ＭＢＥ生长的Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱结构用快速热退火（ＲＴＡ）方法进行处理，研究了其在低温下的光致发光（ＰＬ）特性。发现存在一个最佳退火温度范围，使得ＰＬ谱的发光得......
给出了低电压微波SiGe功率导质结双极晶体管（HBT）的器件结构和测试结果，器件结构适于低压大电流状态下应用，采用了梳状发射极条的横向......
Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数，本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下，ＳｉＧｅ中基区Ｇｅ含量以及......
提出了一种新型Ｓｉ／Ｓｉ１－ｃＧｅｃ太阳电池结构。对长波波段的响应区域－Ｓｉ基区Ｓｉ１－ｃＧｅｃ梯度区光生少子分布进行了求解。根据电流连续性原理计算了光谱响应ＳＲ，讨论了......
从玻尔兹曼方程出发，分析了ＳｉＧｅＨＢＴ超薄基区中载流子温度，扩散系等参量的变化，建立了不同于常规基区宽度的新的超薄基区ＳｉＧｅＨＢＴ电流传输模型。......
研究了硼烷（H2H6）掺杂锗硅外延和磷烷（PH3）掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系。B浓度与B2H6流量基本上成正比例关系......
本文详细分析了下述问题（１）在基区厚度减薄到几十纳米后，发射区时间常数，集电区时间常数对ＳｉＧｅＨＢＴｓ的高频特性的影响；（２）低掺杂浓度发射区层对发射区......
报道了正入射 Si0 .7Ge0 .3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果 .测试了它的光电流谱和量子效率 .探测器的响应波长扩展到......
利用自制的冷壁石英腔ＵＨＶ／ＣＶＤ设备，６００℃条件下，通过Ｇｅ组分渐变缓冲层技术，在Ｓｉ（１００）衬底上成功地生长出完全纪豫、无穿透位错的Ｓｉ０．８３Ｇｅ０．１７外延层，并在其上获得了具有......
利用ＳｉＨ４和ＧｅＨ４作为源气体，对ＵＨＶ／ＣＶＤ生长Ｓｉ１－ｘ／Ｓｉ外延层的表面反应机理进行了研究，通过ＴＰＤ，ＲＨＥＥＤ等实验观察了Ｓｉ（１００）表面ＳｉＨ４的饱和吸附、热脱附过程，得出ＳｉＨ４的分解应该是每个ＳｉＨ４分子的......
利用３μｍ工艺条件制得ＳｉＧｅ，器件的特征频率达到８ＧＨｚ．６００ＭＨｚ工作频率下的最小噪声系数为１．０４ｄＢ，相关功率增益为１２．６ｄＢ，１ＧＨｚ工作频率下的最小噪声系数为１．９ｄＢ，相关功率增益为９ｄＢ，器件......
以Ｓｉ２Ｈ６和ＧｅＨ４作为源气体，用ＵＨＶ／ＣＶＤ方法在Ｓｉ（１００）衬底上生长了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金材料和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱结构。用原子力显微镜、Ｘ光双晶衍射和艇电子显微镜对样品的表面形貌、晶格......
