研究了６３２．８ｎｍ波长下适用的相变光盘介质Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的制备方法和静态光存诸记录特性，发现该薄膜可在１００ｎｓ条件下实现直接重写，在优化膜层结构后，写擦循环......

在新型的存储技术中,相变存储器在高速、高密度、低功耗等方面显示出明显的优势,被视为下一代主流的非易失性存储器。但是相变存储......

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