摘 要：由于InAs/GaSb II类超晶格材料有较高的表面态密度， 易在表面生成导电氧化层， 在将其制备成红外器件的过程中， 首先要解决钝化问......

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本文尝试采用非含水的ＮＨ４Ｆ或ＫＦ以及含水的ＫＦ电解质溶液对Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２）表面的阳极氟化进行了研究，着重分析了阳极氟化膜生长的基本过程及其机理，讨论了阳极......

InAs/GaSb II类超晶格材料是近年兴起的新型本征吸收窄禁带半导体材料，优异的性能使其在军事等领域有非常广泛的应用。受材料生长技......