陷阱电荷密度相关论文
采用高频C-V曲线方法,研究了500A及150AMOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程,发现电离辐射空穴陷阱电荷密度在1×10GY(Si)......
该文提出了一种实验方法，用于测量电应力作用下栅介质膜的电荷陷落过程中的几个物理量，如陷阱电荷密度、电荷中心位置、注入介质膜的......
电应力作用下，栅氧化层受到损伤，表现为栅氧化层内陷阱电荷密度及界面态密度的增加。撤除电应力后，陷阱电荷因被俘获电荷的退陷（ｄｅｔｒａｐｐｉｎｇ）而减少......
提出了一种测量陷阱电荷密度的实验方法 ,该方法根据电荷陷落的动态平衡方程 ,利用恒流应力前后MOS电容高频C V曲线结合恒流应力下......
