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非掺杂液封直拉砷化镓相关论文

热处理中As压对半绝缘GaAs缺陷的影响

在950°C和1 120 °C温度下,对非掺杂半绝缘LEC GaAs进行了不同As气压条件下的热处理,热处理的时间为2～14小时.发现不同As......

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半绝缘GAAS 非掺杂液封直拉砷化镓热处理砷间隙扩散本征缺陷 undoped LEC GaAs annealing As intestitial diff

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