非故意掺杂4H-SiC 相关硕士博士期刊学术论文

SiC是近几年迅速崛起的宽禁带半导体材料之一,SiC材料具有很大的禁带宽度,很高的迁移率以及良好的热导率等特性,从而在高功率、高......